Мой город:
8 (812) 309 36 18
Каталог товаров
Корзина

В корзине 0 товаров

Цены
от a
до a
Бренд

IGBT транзисторы

сетка сетка

IGBT транзисторы

IGBT-транзистор — полупроводниковое устройство с трехслойной структурой и изолированным управляющим затвором, для покрытия которого используется особый диэлектрик на основе SiO2. Прибор чаще всего применяется для комплектации схем инверторов, импульсных источников и регуляторов скорости электромоторов.

IGBT-транзистор: особенности и принцип работы

IGBT-транзистор — компактное полупроводниковое устройство, в конструкции которого реализованы преимущества полевых и биполярных типов полупроводниковых приборов. Изделие характеризуется высокими входными импульсами и большими допустимыми токами в открытом состоянии, которые являются абсолютно управляемыми.

Благодаря изолированному затвору IGBT-транзисторы отличаются простым управлением. В их конструкции предусмотрены встроенные диоды утечки, которые ограничивают случайные выбросы токов. Уникальные характеристики сделали их востребованными как в качестве самостоятельных приборов, так и в составе силовых сборок, предназначенных для управления цепями трёхфазных токов и пр.

Область применения IGBT-транзисторов

Небольшие IGBT-транзисторы используются для комплектации схем инверторов, частотно-регулируемых электроприводов, импульсных регуляторов, систем контроля и управления электромоторами повышенной мощности транспортных средств, различного электрооборудования и пр. Широкие функциональные возможности делают компактные приборы незаменимыми для изготовления источников бесперебойного питания, при построении сетей высокой мощности, различных бытовых приборов и другого оборудования.

IGBT-транзисторы: преимущества

  • Повышенная плотность токов при низком падении напряжения.
  • Небольшая стоимость и компактные размеры при высокой эффективности.
  • Минимальное энергопотребление управляющего сигнала и простая цепь управления.
  • Великолепные прямые и обратные запирающие характеристики при завидной проводимости по сравнению с биполярными устройствами.
  • Стойкость к коротким замыканиям и простота параллельного соединения при большом запасе ресурса.

Чтобы по привлекательной цене купить сертифицированный IGBT-транзистор достаточно выбрать необходимое наименование и подтвердить заказ. Менеджеры Conrad всегда помогут с выбором оптимального устройства для конкретной схемы.

В этом разделе 28 товаров
Сортировать по:
Товаров на странице:
XPT IGBT транзистор IXYS IXA60IF1200NA, корпус SOT-227B, I(C) 56 А, U(CES) 1200 В
IXYS
00

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA60IF1200NA, корпус SOT-227B, I(C) 56 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXA60IF1200NA
I (C) 56 A
Корпус SOT-227B

Артикул: 160641

Цена:

4 043 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA37IF1200HJ, корпус ISOPLUS-247, I(C) 37 А, U(CES) 1200 В
IXYS
00

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA37IF1200HJ, корпус ISOPLUS-247, I(C) 37 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXA37IF1200HJ
I (C) 37 A
Корпус ISOPLUS-247

Артикул: 160639

Цена:

1 659 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA12IF1200PB, корпус TO-220, I(C) 13 А, U(CES) 1200 В
IXYS
00

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA12IF1200PB, корпус TO-220, I(C) 13 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXA12IF1200PB
I (C) 13 A
Корпус TO-220

Артикул: 160637

Цена:

635 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT-модуль Semikron SKM400GA12V, корпус SEMITRANS® 4, I(C) 612 А, U(CES) 1200 В
SEMIKRON
00

Описание:

IGBT-модуль Semikron SKM400GA12V, корпус SEMITRANS® 4, I(C) 612 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя SKM400GA12V
I (C) 612 A
Корпус SEMITRANS® 4

Артикул: 358704

Цена:

24 495 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT-модуль Semikron SKM145GB176D, корпус SEMITRANS® 2, I(C) 160 А, U(CES) 1700 В
SEMIKRON
00

Описание:

IGBT-модуль Semikron SKM145GB176D, корпус SEMITRANS® 2, I(C) 160 А, U(CES) 1700 В 

Технические харатеристики:

Код производителя SKM145GB176D
I (C) 160 A
Корпус SEMITRANS® 2

Артикул: 160036

Цена:

15 922 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор для диодов IXYS IXGH48N60C3D1, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор для диодов IXYS IXGH48N60C3D1, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH48N60C3D1
I (C) 48 A
Корпус TO-247

Артикул: 160633

Цена:

1 382 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH24N170AH1, корпус TO-247, I(C) 16 А, U(CES) 1700 В
00

Описание:

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH24N170AH1, корпус TO-247, I(C) 16 А, U(CES) 1700 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH24N170AH1

Артикул: 160635

Цена:

2 856 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор IXYS IXGN200N60B3, N-канал, корпус SOT-227B, I(C) 200 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор IXYS IXGN200N60B3, N-канал, корпус SOT-227B, I(C) 200 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGN200N60B3
I (C) 200 A
Корпус SOT-227B

Артикул: 160817

Цена:

5 347 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор IXYS IXGH72N60A3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 72 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор IXYS IXGH72N60A3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 72 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH72N60A3
I (C) 72 A
Корпус TO-247AD

Артикул: 160815

Цена:

1 659 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор IXYS IXGH32N120A3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 32 А, U(CES) 1200 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор IXYS IXGH32N120A3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 32 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH32N120A3
I (C) 32 A
Корпус TO-247AD

Артикул: 160820

Цена:

1 521 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор IXYS IXGH30N60C3D1, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 30 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор IXYS IXGH30N60C3D1, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 30 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH30N60C3D1
I (C) 30 A
Корпус TO-247AD

Артикул: 160813

Цена:

1 244 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор IXYS IXGH30N60C3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 30 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT транзистор IXYS IXGH30N60C3, N-канал, корпус TO-247AD, I(C) 30 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH30N60C3
I (C) 30 A
Корпус TO-247AD

Артикул: 160812

Цена:

829 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Infineon Technologies SGW25N120, корпус TO-247, I(C) 25 А, U(CES) 1200 В
00

Описание:

IGBT транзистор Infineon Technologies SGW25N120, корпус TO-247, I(C) 25 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя SGW25N120
Постоянный ток (25°C)50 A
I (C) 25 A
Корпус TO-247

Артикул: 154127

Цена:

1 244 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Infineon Technologies IRGP4062DPBF, корпус TO-247AC
00

Описание:

IGBT транзистор Infineon Technologies IRGP4062DPBF, корпус TO-247AC 

Технические харатеристики:

Код производителя IRGP4062DPBF
Корпус TO-247AC

Артикул: 564152

Цена:

1 936 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Infineon Technologies IRG4PC40FDPBF, корпус TO-247AC
00

Описание:

IGBT транзистор Infineon Technologies IRG4PC40FDPBF, корпус TO-247AC 

Технические харатеристики:

Код производителя IRG4PC40FDPBF
Корпус TO-247AC

Артикул: 564119

Цена:

1 244 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Infineon Technologies IRG4BC30KDPBF, корпус TO-220AB
00

Описание:

IGBT транзистор Infineon Technologies IRG4BC30KDPBF, корпус TO-220AB 

Технические харатеристики:

Код производителя IRG4BC30KDPBF
Корпус TO-220AB

Артикул: 564112

Цена:

967 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor ISL9V3040P3, корпус TO-220-3
FAIRCHILD-SEMICONDUCTOR
00

Описание:

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor ISL9V3040P3, корпус TO-220-3 

Технические харатеристики:

Код производителя ISL9V3040P3
Корпус TO-220-3

Артикул: 1264446

Цена:

400 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor FSBB20CH60CL, корпус SPM-27-CB
FAIRCHILD-SEMICONDUCTOR
00

Описание:

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor FSBB20CH60CL, корпус SPM-27-CB 

Технические харатеристики:

Код производителя FSBB20CH60CL
Корпус SPM-27-CB

Артикул: 1264318

Цена:

7 434 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor FSB50250UTD, корпус SPM-23-ED
00

Описание:

IGBT транзистор Fairchild Semiconductor FSB50250UTD, корпус SPM-23-ED 

Технические харатеристики:

Код производителя FSB50250UTD

Артикул: 1264296

Цена:

1 340 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT биполярный транзистор IXYS IXGH48N60C3, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В
IXYS
00

Описание:

IGBT биполярный транзистор IXYS IXGH48N60C3, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IXGH48N60C3
I (C) 48 A
Корпус TO-247

Артикул: 160632

Цена:

967 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRGB14C40L, N-канал, корпус TO-220, I(C) 14 А, U(CE
00

Описание:

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRGB14C40L, N-канал, корпус TO-220, I(C) 14 А, U(CES) 430 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IRGB14C40L
U (CE) 1.4 В
I (C) 14 A
Корпус TO-220

Артикул: 163039

Цена:

290 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PH50SPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 33 А, U(
00

Описание:

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PH50SPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 33 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IRG4PH50SPBF
U (CE) 1.7 В
I (C) 33 A
Корпус TO-247

Артикул: 163022

Цена:

567 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PH40UDPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 15 А, U
00

Описание:

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PH40UDPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 15 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IRG4PH40UDPBF
U (CE) 3.5 В
I (C) 15 A
Корпус TO-247

Артикул: 163019

Цена:

622 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PC50UDPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 27 А, U
00

Описание:

IGBT биполярный транзистор Infineon Technologies IRG4PC50UDPBF, N-канал, корпус TO-247, I(C) 27 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

Код производителя IRG4PC50UDPBF
U (CE) 2 В
I (C) 27 A
Корпус TO-247

Артикул: 163005

Цена:

829 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

1 - 24 из 28
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец