Мой город:
8 (800) 555 95 41Бесплатный звонок по России
Каталог товаров
Корзина

В корзине 0 товаров

Цены
от a
до a
Расширенный поиск
Поставщик
Бренд
I (C)
U (CE)

IGBT транзисторы

IGBT-транзистор — полупроводниковое устройство с трехслойной структурой и изолированным управляющим затвором, для покрытия которого используется особый диэлектрик на основе SiO2. Прибор чаще всего применяется для комплектации схем инверторов, импульсных источников и регуляторов скорости электромоторов.

IGBT-транзистор: особенности и принцип работы

IGBT-транзистор — компактное полупроводниковое устройство, в конструкции которого реализованы преимущества полевых и биполярных типов полупроводниковых приборов. Изделие характеризуется высокими входными импульсами и большими допустимыми токами в открытом состоянии, которые являются абсолютно управляемыми.

Благодаря изолированному затвору IGBT-транзисторы отличаются простым управлением. В их конструкции предусмотрены встроенные диоды утечки, которые ограничивают случайные выбросы токов. Уникальные характеристики сделали их востребованными как в качестве самостоятельных приборов, так и в составе силовых сборок, предназначенных для управления цепями трёхфазных токов и пр.

Область применения IGBT-транзисторов

Небольшие IGBT-транзисторы используются для комплектации схем инверторов, частотно-регулируемых электроприводов, импульсных регуляторов, систем контроля и управления электромоторами повышенной мощности транспортных средств, различного электрооборудования и пр. Широкие функциональные возможности делают компактные приборы незаменимыми для изготовления источников бесперебойного питания, при построении сетей высокой мощности, различных бытовых приборов и другого оборудования.

IGBT-транзисторы: преимущества

  • Повышенная плотность токов при низком падении напряжения.
  • Небольшая стоимость и компактные размеры при высокой эффективности.
  • Минимальное энергопотребление управляющего сигнала и простая цепь управления.
  • Великолепные прямые и обратные запирающие характеристики при завидной проводимости по сравнению с биполярными устройствами.
  • Стойкость к коротким замыканиям и простота параллельного соединения при большом запасе ресурса.

Чтобы по привлекательной цене купить сертифицированный IGBT-транзистор достаточно выбрать необходимое наименование и подтвердить заказ. Менеджеры Conrad всегда помогут с выбором оптимального устройства для конкретной схемы.

IGBT транзисторы сетка сетка

В этом разделе 248 товаров
Сортировать по:
Товаров на странице:
XPT IGBT транзистор IXYS IXA60IF1200NA, корпус SOT-227B, I(C) 56 А, U(CES) 1200 В
IXYS
(0)

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA60IF1200NA, корпус SOT-227B, I(C) 56 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 56 A
Код производителя IXA60IF1200NA

Артикул: 160641

Цена:

3 440 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA55I1200HJ, корпус ISOPLUS-247 I(C) 54 А, U(CES) 1200 В
IXYS
(0)

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA55I1200HJ, корпус ISOPLUS-247 I(C) 54 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 54 A
Код производителя IXA55I1200HJ

Артикул: 160640

Цена:

1 471 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA37IF1200HJ, корпус ISOPLUS-247, I(C) 37 А, U(CES) 1200 В
IXYS
(0)

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA37IF1200HJ, корпус ISOPLUS-247, I(C) 37 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 37 A
Код производителя IXA37IF1200HJ

Артикул: 160639

Цена:

1 203 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA20I1200PB, корпус TO-220 I(C) 22 А, U(CES) 1200 В
IXYS
(0)

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA20I1200PB, корпус TO-220 I(C) 22 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 22 A
Код производителя IXA20I1200PB

Артикул: 160638

Цена:

481 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

XPT IGBT транзистор IXYS IXA12IF1200PB, корпус TO-220, I(C) 13 А, U(CES) 1200 В
IXYS
(0)

Описание:

XPT IGBT транзистор IXYS IXA12IF1200PB, корпус TO-220, I(C) 13 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 13 A
Код производителя IXA12IF1200PB

Артикул: 160637

Цена:

507 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT-модуль Semikron SKM400GA12V, корпус SEMITRANS® 4, I(C) 612 А, U(CES) 1200 В
SEMIKRON
(0)

Описание:

IGBT-модуль Semikron SKM400GA12V, корпус SEMITRANS® 4, I(C) 612 А, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 612 A
Код производителя SKM400GA12V

Артикул: 358704

Цена:

17 969 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT-модуль Semikron SKM200GB12V, корпус SEMITRANS® 3, I(C) 311 A, U(CES) 1200 В
SEMIKRON
(0)

Описание:

IGBT-модуль Semikron SKM200GB12V, корпус SEMITRANS® 3, I(C) 311 A, U(CES) 1200 В 

Технические харатеристики:

I (C) 311 A
Код производителя SKM200GB12V

Артикул: 358702

Цена:

14 251 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT-модуль Semikron SKM145GB176D, корпус SEMITRANS® 2, I(C) 160 А, U(CES) 1700 В
SEMIKRON
(0)

Описание:

IGBT-модуль Semikron SKM145GB176D, корпус SEMITRANS® 2, I(C) 160 А, U(CES) 1700 В 

Технические харатеристики:

I (C) 160 A
Код производителя SKM145GB176D

Артикул: 160036

Цена:

9 789 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор для диодов IXYS IXGH48N60C3D1, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В
IXYS
(0)

Описание:

IGBT транзистор для диодов IXYS IXGH48N60C3D1, корпус TO-247, I(C) 48 А, U(CES) 600 В 

Технические харатеристики:

I (C) 48 A
Код производителя IXGH48N60C3D1

Артикул: 160633

Цена:

1 069 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH24N170AH1, корпус TO-247, I(C) 16 А, U(CES) 1700 В
IXYS
(0)

Описание:

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH24N170AH1, корпус TO-247, I(C) 16 А, U(CES) 1700 В 

Технические харатеристики:

I (C) 16 A
Код производителя IXGH24N170AH1

Артикул: 160635

Цена:

2 548 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH16N170A, корпус TO-247, I(C) 11 А, U(CES) 1700 В
IXYS
(0)

Описание:

IGBT транзистор высокого напряжения IXYS IXGH16N170A, корпус TO-247, I(C) 11 А, U(CES) 1700 В 

Технические харатеристики:

I (C) 11 A
Код производителя IXGH16N170A

Артикул: 160634

Цена:

1 069 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGY40NC60VD, корпус MAX247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGY40NC60VD, корпус MAX247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGY40NC60VD

Артикул: 564735

Цена:

2 548 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGWT30V60F, корпус TO-3PF
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGWT30V60F, корпус TO-3PF 

Технические харатеристики:

Код производителя STGWT30V60F

Артикул: 564734

Цена:

802 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW80V60DF, корпус TO-247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW80V60DF, корпус TO-247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGW80V60DF

Артикул: 564731

Цена:

935 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW60H65FB, корпус TO-247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW60H65FB, корпус TO-247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGW60H65FB

Артикул: 564730

Цена:

1 337 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW40H65FB, корпус TO-247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW40H65FB, корпус TO-247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGW40H65FB

Артикул: 564729

Цена:

1 337 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW30V60F, корпус TO-247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW30V60F, корпус TO-247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGW30V60F

Артикул: 564727

Цена:

802 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW20H60DF, корпус TO-247
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGW20H60DF, корпус TO-247 

Технические харатеристики:

Код производителя STGW20H60DF

Артикул: 564725

Цена:

654 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGP30V60F, корпус TO-220AB
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGP30V60F, корпус TO-220AB 

Технические харатеристики:

Код производителя STGP30V60F

Артикул: 564724

Цена:

588 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGP20V60F, корпус TO-220AB
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGP20V60F, корпус TO-220AB 

Технические харатеристики:

Код производителя STGP20V60F

Артикул: 564722

Цена:

454 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGFW30V60F, корпус TO-3PF
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGFW30V60F, корпус TO-3PF 

Технические харатеристики:

Код производителя STGFW30V60F

Артикул: 564721

Цена:

802 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGFW20V60F, корпус TO-3PF
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGFW20V60F, корпус TO-3PF 

Технические харатеристики:

Код производителя STGFW20V60F

Артикул: 564720

Цена:

654 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор STMicroelectronics STGB6NC60HDT4, корпус TO-263-3
(0)

Описание:

IGBT транзистор STMicroelectronics STGB6NC60HDT4, корпус TO-263-3 

Технические харатеристики:

Код производителя STGB6NC60HDT4

Артикул: 564719

Цена:

280 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

IGBT транзистор Renesas RJP60V0DPM-00#T1, корпус TO-3PFM
(0)

Описание:

IGBT транзистор Renesas RJP60V0DPM-00#T1, корпус TO-3PFM 

Технические харатеристики:

Код производителя RJP60V0DPM-00#T1

Артикул: 1311172

Цена:

802 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

1 - 24 из 248
Начало | Пред. | 1 3 4 5 | След. | Конец
Хиты продаж