Транзисторы биполярные

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор — компактный полупроводниковый прибор с трехэлектродной структурой и p-n-переходом, в котором для переноса зарядов предусмотрены носители двух полярностей. Управление входными токами реализовано путем воздействия электрического поля через базу. Чаще всего используется для комплектации схем усиления мощности электросигналов в оборудовании различного назначения.

Биполярный транзистор: особенности

Биполярный транзистор — малогабаритный полупроводниковый прибор с тремя электродами, выполненный на базе 3 слоев разнотипной проводимости (NPN или PNP), соединенных невыпрямляющим контактом с внешним выводом. В процессе его работы задействованы два типа зарядов (электроны и дырки), что и отражено в названии. Принцип работы устройств, независимо от разновидности построения слоев полупроводника, заключается в управление потоками электронов через базу. Отличие приборов различной полярности (NPN от PNP) заключается в том, что выступает носителем энергии: дырки или электроны. В первом варианте происходит перенос зарядов от коллектора к эмиттеру, а во втором — наоборот.

Область применения биполярных транзисторов

Чаще всего биполярные транзисторы используются при построении высокоэффективных схем усиления. Нередко они применяются для комплектации генераторов с возможностью получения как прямоугольных, так и сигналов произвольной формы в зависимости от управляющего воздействия. Компактные приборы незаменимы для изготовления колонок, гарнитуры, бытовых приборов автомобильной электроники и множества прочего оборудования.

Преимущества биполярных транзисторов

Пониженные мощности рассеяния.
Повышенный ресурс, что является результатом низкого энергопотребления.
Сниженное напряжение насыщения.
Минимальные размеры при высокой эффективности и производительности.
Увеличенный коэффициент передачи по токам и уровня допустимых нагрузок.

У нас можно купить транзисторы биполярного типа на привлекательных условиях. Большой ассортимент позволит оперативно подобрать оптимальный прибор для любой схемы. Чтобы приобрести полупроводниковые устройства по ценам производителей, достаточно выбрать необходимое наименование и подтвердить заказ. При необходимости по поводу выбора нужного изделия можно проконсультироваться у наших экспертов тел 8 (800) 555-95-41.

В этом разделе 2007 товаров

Сортировать по:

Товаров на странице:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR48PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR48PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR48PN
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 50/10 В
Сопротивление 47/47 кОм
I (C) 100 мА

Артикул: 152895

Цена:

28 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR22PNH6327 NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 1

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR22PNH6327 NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR22PNH6327
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 30 В
Сопротивление 22 кОм
I (C) 100 мА

Артикул: 153278

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR169S PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR169S PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR169S
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 15 В
Сопротивление 4.7 кОм
I (C) 100 мА

Артикул: 153739

Цена:

25 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR148S NPN корпус SOT-363 I(C) 70 мА

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR148S NPN корпус SOT-363 I(C) 70 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR148S
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 50 В
Сопротивление 47 кОм
I (C) 70 мА

Артикул: 154134

Цена:

19 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR10PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR10PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR10PN
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 25 В
Сопротивление 10 кОм
I (C) 100 мА

Артикул: 154120

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR08PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Описание:

Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR08PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BCR08PN
P (tot) 250 мВт
Напряжение макс. 50 В
Сопротивление 47 кОм
I (C) 100 мА

Артикул: 152974

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847S NPN корпус SOT-363 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Описание:

Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847S NPN корпус SOT-363 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC847S
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
I 200 мА
Корпус SOT-363

Артикул: 153224

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847PN NPN / PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Описание:

Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847PN NPN / PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА

Технические харатеристики:

Код производителя BC847PN
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
I 200 мА
Корпус SOT-363

Артикул: 153210

Цена:

15 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11015G PNP корпус TO-204AA I(C) 30 A

Описание:

Транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11015G PNP корпус TO-204AA I(C) 30 A

Технические харатеристики:

Код производителя MJ11015G
P (tot) 200 Вт
I (C) 30 A
U (SEO) 120 В
Корпус TO-204AA

Артикул: 151333

Цена:

643 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC857CRF PNP корпус SOT-23 I(C) -100 мА, U(CEO) -45 В

Описание:

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC857CRF PNP корпус SOT-23 I(C) -100 мА, U(CEO) -45 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC857CRF
I (C) -100 мА
U (SEO) -45 В
Корпус SOT-23

Артикул: 155998

Цена:

33 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В

Описание:

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC848CRF
I (C) 100 мА
U (SEO) 30 В
Корпус SOT-23

Артикул: 155989

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В

Описание:

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC848BRF
I (C) 100 мА
U (SEO) 30 В
Корпус SOT-23

Артикул: 155987

Цена:

5 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Описание:

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC847CRF
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
Корпус SOT-23

Артикул: 155986

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Описание:

Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В

Технические харатеристики:

Код производителя BC847BRF
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
Корпус SOT-23

Артикул: 155983

Цена:

16 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMZ1NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMZ1NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMZ1NTR
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140599

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMY1NTR NPN/PNP корпус UMT5 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMY1NTR NPN/PNP корпус UMT5 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMY1NTR
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT5

Артикул: 140598

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMX1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMX1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMX1NTN
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140596

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMT1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) -150 мА, U(CEO) -50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMT1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) -150 мА, U(CEO) -50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMT1NTN
I (C) -150 мА
U (SEO) -50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140595

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH4NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH4NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMH4NTN
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140594

Цена:

49 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH3NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH3NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMH3NTN
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140593

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH11NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH11NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMH11NTN
I (C) 50 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140592

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD6NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD6NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMD6NTR
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140591

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD3NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 40 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD3NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 40 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMD3NTR
I (C) 50 мА
U (SEO) 40 В
Корпус UMT6

Артикул: 140590

Цена:

6 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD2NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 30 мА, U(CEO) 50 В

Описание:

Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD2NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 30 мА, U(CEO) 50 В

Технические харатеристики:

Код производителя UMD2NTR
I (C) 30 мА
U (SEO) 50 В
Корпус UMT6

Артикул: 140588

Цена:

9 с учетом НДС

На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.

Показать еще 24 товара

Смотрите следующую подкатегорию: Полевые транзисторы