Биполярные транзисторыБиполярный транзистор — компактный полупроводниковый прибор с трехэлектродной структурой и p-n-переходом, в котором для переноса зарядов предусмотрены носители двух полярностей. Управление входными токами реализовано путем воздействия электрического поля через базу. Чаще всего используется для комплектации схем усиления мощности электросигналов в оборудовании различного назначения. Биполярный транзистор: особенностиБиполярный транзистор — малогабаритный полупроводниковый прибор с тремя электродами, выполненный на базе 3 слоев разнотипной проводимости (NPN или PNP), соединенных невыпрямляющим контактом с внешним выводом. В процессе его работы задействованы два типа зарядов (электроны и дырки), что и отражено в названии. Принцип работы устройств, независимо от разновидности построения слоев полупроводника, заключается в управление потоками электронов через базу. Отличие приборов различной полярности (NPN от PNP) заключается в том, что выступает носителем энергии: дырки или электроны. В первом варианте происходит перенос зарядов от коллектора к эмиттеру, а во втором — наоборот. Область применения биполярных транзисторовЧаще всего биполярные транзисторы используются при построении высокоэффективных схем усиления. Нередко они применяются для комплектации генераторов с возможностью получения как прямоугольных, так и сигналов произвольной формы в зависимости от управляющего воздействия. Компактные приборы незаменимы для изготовления колонок, гарнитуры, бытовых приборов автомобильной электроники и множества прочего оборудования. Преимущества биполярных транзисторов
У нас можно купить транзисторы биполярного типа на привлекательных условиях. Большой ассортимент позволит оперативно подобрать оптимальный прибор для любой схемы. Чтобы приобрести полупроводниковые устройства по ценам производителей, достаточно выбрать необходимое наименование и подтвердить заказ. При необходимости по поводу выбора нужного изделия можно проконсультироваться у наших экспертов тел 8 (800) 555-95-41. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Транзисторы биполярные
|
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR48PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 47/47 кОм
I (C) 100 мА
Напряжение макс. 50/10 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR48PN
Артикул: 152895
Цена:
26 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR22PNH6327 NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 22 кОм
I (C) 100 мА
Напряжение макс. 30 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR22PNH6327
Артикул: 153278
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR169S PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 4.7 кОм
I (C) 100 мА
Напряжение макс. 15 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR169S
Артикул: 153739
Цена:
23 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR148S NPN корпус SOT-363 I(C) 70 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 47 кОм
I (C) 70 мА
Напряжение макс. 50 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR148S
Артикул: 154134
Цена:
18 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR10PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 10 кОм
I (C) 100 мА
Напряжение макс. 25 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR10PN
Артикул: 154120
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Цифровой транзистор двойной массив Infineon Technologies BCR08PN NPN/ PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
Сопротивление 47 кОм
I (C) 100 мА
Напряжение макс. 50 В
U (SEO) 50 В
Код производителя BCR08PN
Артикул: 152974
Цена:
17 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847S NPN корпус SOT-363 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
I 200 мА
U (SEO) 45 В
Код производителя BC847S
Артикул: 153224
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор двойной массив Infineon Technologies BC847PN NPN / PNP корпус SOT-363 I(C) 100 мА
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
I 200 мА
U (SEO) 45 В
Код производителя BC847PN
Артикул: 153210
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11015G PNP корпус TO-204AA I(C) 30 A
Технические харатеристики:
I (C) 30 A
U (SEO) 120 В
Код производителя MJ11015G
Артикул: 151333
Цена:
623 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC857CRF PNP корпус SOT-23 I(C) -100 мА, U(CEO) -45 В
Технические харатеристики:
I (C) -100 мА
U (SEO) -45 В
Код производителя BC857CRF
Артикул: 155998
Цена:
30 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 30 В
Код производителя BC848CRF
Артикул: 155989
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC848BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 30 В
Код производителя BC848BRF
Артикул: 155987
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847CRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
Код производителя BC847CRF
Артикул: 155986
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный Taiwan Semiconductor BC847BRF NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 45 В
Код производителя BC847BRF
Артикул: 155983
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMZ1NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMZ1NTR
Артикул: 140599
Цена:
8 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMY1NTR NPN/PNP корпус UMT5 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMY1NTR
Артикул: 140598
Цена:
9 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMX1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 150 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 150 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMX1NTN
Артикул: 140596
Цена:
8 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMT1NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) -150 мА, U(CEO) -50 В
Технические харатеристики:
I (C) -150 мА
U (SEO) -50 В
Код производителя UMT1NTN
Артикул: 140595
Цена:
8 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH4NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMH4NTN
Артикул: 140594
Цена:
47 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH3NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMH3NTN
Артикул: 140593
Цена:
15 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMH11NTN NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 50 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMH11NTN
Артикул: 140592
Цена:
9 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD6NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 100 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMD6NTR
Артикул: 140591
Цена:
9 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD3NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 50 мА, U(CEO) 40 В
Технические харатеристики:
I (C) 50 мА
U (SEO) 40 В
Код производителя UMD3NTR
Артикул: 140590
Цена:
6 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
Описание:
Транзистор биполярный ROHM Semiconductor UMD2NTR NPN/PNP корпус UMT6 I(C) 30 мА, U(CEO) 50 В
Технические харатеристики:
I (C) 30 мА
U (SEO) 50 В
Код производителя UMD2NTR
Артикул: 140588
Цена:
8 с учетом НДС
На заказ.
Срок поставки от 2-х недель.
