МОП-транзистор Infineon Technologies IRLZ44NPBF 1 HEXFET 110 Вт, TO-220
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRLZ44NPBF |
Модель | HEXFET |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BCX70H NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCX70H |
Характеристики
Транзистор биполярный DIOTEC BC556B PNP корпус TO-92 I(C) -100 мА, U(CEO) -80 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC556B-3 |
Характеристики
Транзистор биполярный DIOTEC BC847C NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC847C |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor BD675 NPN корпус TO-225AA I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD675 |
Модель | BD 675 |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor 2N4401BU корпус TO-92-3
Код производителя | 2N4401BU |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BCX70G NPN корпус SOT-23 I(C) 2 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCX70GE6327 |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies SMBT2907A PNP корпус SOT-23 I(C) 600 мА, U(CEO) 60 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | SMBT2907A |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор ON Semiconductor MJE350 PNP корпус TO-225AA I(C) -500 мА,
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | MJE350 |
Модель | MJE 350 |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor D44H11TU корпус TO-220-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | D44H11TU |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor BD676 PNP корпус TO-225AA I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD676 |
Модель | BD 676 |
Характеристики
Импульсный регулятор напряжения - STMicroelectronics L78M12CV, TO-220AB, 500 мА
Код производителя | L78M12CV |
Характеристики
KT5014, IFM ELECTRONIC - Емкостный датчик, 97 x 11 мм
Тип товара | Емкостной датчик приближения |
Код производителя | KT5014 |
Диаметр, мм | 97 |
Длина кабеля, м | 0.3 |
Характеристики
KT5114, IFM ELECTRONIC - Емкостный датчик, M22, 29 x 31 мм
Тип товара | Емкостной датчик приближения |
Код производителя | KT5114 |
Диаметр, мм | 29 |
Длина кабеля, м | 0.50 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRF9510PBF 1 P-канал, 43 Вт, TO-220
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF9510PBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Fairchild Semiconductor 2N7000TA 1 N-канал, 400 mВт, TO-92-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | 2N7000TA |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
Panasonic PIR motion detector 1 pc(s) EKMB1303111K 2.3 - 4 V
Тип товара | PIR детектор движения |
Код производителя | EKMB1303111K |
Характеристики
Защитная решетка WALLAIR, 60х60 мм, черная
Тип товара | Решетка вентилятора |
Характеристики
Касса для элементов (4)
Коробка (Д x Ш x В) 200 x 140 x 50 мм, Wolfgang Warmbier 5510.907
Тип товара | Коробка ESD |
Код производителя | 5510.907 |
Характеристики