МОП-транзистор Fairchild Semiconductor RFP12N10L 1 N-канал, 60 Вт, TO-220AB
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | RFP12N10L |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор NXP Semiconductors 2N7002BK,215 1 N-канал, 370 mВт, SOT-23
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | 2N7002BK,215 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRF840LCPBF 1 N-канал, 125 Вт, TO-220AB
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF840LCPBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRF840APBF 1 N-канал, 125 Вт, TO-220AB
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF840APBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRLB8748PBF 1 N-канал, 75 Вт, TO-220AB
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRLB8748PBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
Биполярный транзистор ON Semiconductor MJE18004G NPN корпус TO-220AB I(C) 5 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | MJE18004G |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC33716TA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC33716TA |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC548BTA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC548BTA |
Характеристики
Мощный транзистор STMicroelectronics TIP32C PNP корпус TO-220AB I(C) 3 A U(CEO) 100 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP32C |
Характеристики
NPN-Транзистор Infineon Technologies BCV27 NPN корпус SOT-23 I(C) 500 мА, U(CEO) 30 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCV27 |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор ON Semiconductor TIP35CG NPN корпус TO-218AC I(C) 25 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP35CG |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC548CTA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC548CTA |
Характеристики
Стандартный биполярный мощный транзистор Fairchild Semiconductor BC557BTA PNP корпус TO-92 I(C) -100
Стандартный биполярный мощный транзистор Fairchild Semiconductor BC557BTA PNP корпус TO-92 I(C) -100
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC557BTA |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC546CTA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC546CTA |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BD14016STU корпус TO-126
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD14016STU |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRFP460LCPBF 1 N-канал, 280 Вт, TO-247AC
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRFP460LCPBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRFB9N60APBF 1 N-канал, 170 Вт, TO-220
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRFB9N60APBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRLZ44NPBF 1 HEXFET 110 Вт, TO-220
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRLZ44NPBF |
Модель | HEXFET |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC817K-40E6327 NPN корпус SOT-23 I(C) 500 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC817K-40E6327 |
Модель | BC 817-40 |
Характеристики
Стандартный биполярный мощный транзистор DIOTEC BC549C NPN корпус TO-92 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC549C |
Характеристики