МОП-транзистор Infineon Technologies IRLR120N 1 N-канал, 48 Вт, TO-263-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRLR120N |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор IXYS IXTK550N055T2 1 N-канал, 1250 Вт, TO-264
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IXTK550N055T2 |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор IXYS IXFH320N10T2 1 N-канал, 1000 Вт, TO-247AD
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IXFH320N10T2 |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRL520NPBF 1 N-канал, 48 Вт, TO-220AB
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRL520NPBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор IXYS IXTH90P10P 1 P-канал, 462 Вт, TO-247AD
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IXTH90P10P |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Fairchild Semiconductor NDT2955 1 P-канал, 1.1 Вт, SOT-223-4
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | NDT2955 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRFZ14PBF 1 HEXFET 43 Вт, TO-220
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRFZ14PBF |
Модель | HEXFET |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRFP3206PBF 1 N-канал, 280 Вт, TO-247AC
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRFP3206PBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY IRF620PBF 1 N-канал, 50 Вт, TO-220
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF620PBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 N-канал, 370 Вт, TO-220AB
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRFB4110PBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies BSS139 1 N-канал, 360 mВт, TO-236-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | BSS139 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Fairchild Semiconductor FQPF6N80C 1 N-канал, 51 Вт, TO-220-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | FQPF6N80C |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRLML0030TRPBF 1 N-канал, 1.3 Вт, SOT-23
Тип товара | МОП-транзистор |
Код производителя | IRLML0030TRPBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRF3710 1 N-канал, 160 Вт, TO-263-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF3710 |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор NXP Semiconductors 2N7002GEG-HSMD 1 N-канал, 0.83 Вт, SOT-23
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | 2N7002,215 |
Модель | 2 N 7002 GEG HSMD |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies BF998 1 N-канал, 200 mВт, TO-253-4
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | BF998 |
Модель | BF 998 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRF7403 1 N-канал, 2.5 Вт, SOIC-8
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRF7403 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 1 P-канал, 1.6 Вт, SOT-23-3
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | SI2301CDS-T1-GE3 |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRLR8743PBF 1 N-канал, 135 Вт, DPAK
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRLR8743PBF |
Рабочая температура (макс), C | 175 |
Характеристики
МОП-транзистор Infineon Technologies IRFPE40 1 N-канал, 150 Вт, TO-247
Тип товара | MOSFET транзистор |
Код производителя | IRFPE40PBF |
Рабочая температура (макс), C | 150 |
Характеристики