NF-Транзистор Infineon Technologies BCW60D NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 32 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCW60D |
Характеристики
NPN-транзистор широкополосный Infineon Technologies BFR193 NPN корпус SOT-23 I(C) 80 мА, U(CEO) 12
Тип товара | HF транзистор |
Код производителя | BFR193 |
Характеристики
NPN-Транзистор Infineon Technologies BCV47E6327 NPN корпус SOT-23 I(C) 500 мА, U(CEO) 60 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCV47E6327 |
Характеристики
Транзистор биполярный DIOTEC MPSA42 NPN корпус TO-92 I(C) 500 мА, U(CEO) 300 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | MPSA42 |
Модель | MPSA 42 |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11016G NPN корпус TO-3 I(C) 30 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | MJ11016G |
Характеристики
Мощный транзистор STMicroelectronics TIP125 PNP корпус TO-220AB I(C) 5 A U(CEO) 60 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP125 |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор ON Semiconductor MJ15004G PNP корпус TO-3 I(C) 20 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | MJ15004G |
Модель | MJ 15004 |
Характеристики
Транзистор биполярный DIOTEC BC557B PNP корпус TO-92 I(C) -100 мА, U(CEO) -45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC557B-3 |
Характеристики
Стандартный биполярный мощный транзистор Fairchild Semiconductor BC557BTA PNP корпус TO-92 I(C) -100
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC557BTA |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор Fairchild Semiconductor BD138-16STU PNP корпус TO-126 I(C) 1.5 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD13816STU |
Модель | BD 138-16 |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics BD679 NPN корпус TO-126 I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD679 |
Модель | BD 679 |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics TIP112 NPN корпус TO-220 I(C) 2 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP112 |
Модель | TIP 112 |
Характеристики
PNP-Транзистор Infineon Technologies BCX53-16 PNP корпус SOT-89 I(C) 1 A U(CEO) 80 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCX53-16 |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор ON Semiconductor TIP32C PNP корпус TO-220AB I(C) 3 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP32C |
Модель | TIP 32 C |
Характеристики
Мощный транзистор STMicroelectronics TIP31C NPN корпус TO-220AB I(C) 3 A U(CEO) 100 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP31C |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC33740TA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC33740TA |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics BDX53B NPN корпус TO-220 I(C) 8 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BDX 53B |
Характеристики
NPN-транзистор широкополосный Infineon Technologies BFR181W NPN корпус SOT-323 I(C) 20 мА
Тип товара | HF транзистор |
Код производителя | BFR181W |
Модель | BFR 181 W |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC847CW NPN корпус SOT-323 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC847CW |
Характеристики
Мощный транзистор STMicroelectronics TIP36C PNP корпус SOT-93 I(C) 1 A U(CEO) 100 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP36C |
Характеристики