NF-Транзистор Infineon Technologies SMBT2907A PNP корпус SOT-23 I(C) 600 мА, U(CEO) 60 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | SMBT2907A |
Характеристики
Транзистор STMicroelectronics BDW94C PNP корпус TO-220AB I(C) 12 A U(CEO) 100 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BDW94C |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BCR133 NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 50 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный, с напряжением смещения |
Код производителя | BCR133 |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BC546CTA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC546CTA |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor PN2222ATA корпус TO-92-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | PN2222ATA |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics BD681 NPN корпус SOT-32 I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD681 |
Модель | BD 681 |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor BD14016STU корпус TO-126
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD14016STU |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BCX70H NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BCX70H |
Характеристики
Стандартный биполярный транзистор ON Semiconductor BD139 NPN корпус TO-225AA I(C) 1.5 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD139 |
Модель | BD 139 |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC817K-40E6327 NPN корпус SOT-23 I(C) 500 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC817K-40E6327 |
Модель | BC 817-40 |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics BD679A NPN корпус TO-126 I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD679A |
Модель | BD 679 A |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC847B NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 45 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC847B |
Характеристики
Стандартный биполярный мощный транзистор DIOTEC BC548C NPN корпус TO-92 I(C) 200 мА, U(CEO) 30 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC548C |
Характеристики
Стандартный биполярный мощный транзистор Fairchild Semiconductor BC640TA PNP корпус TO-92-3 I(C) -1
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC640TA |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC849C NPN корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC849C |
Характеристики
NF-Транзистор Infineon Technologies BC859C PNP корпус SOT-23 I(C) 100 мА, U(CEO) 30 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BC859C |
Характеристики
Транзистор Fairchild Semiconductor D44H11TU корпус TO-220-3
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | D44H11TU |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor BD676 PNP корпус TO-225AA I(C) 4 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BD676 |
Модель | BD 676 |
Характеристики
Мощный транзистор Дарлингтона STMicroelectronics TIP137 PNP корпус TO-220 I(C) 8 A
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | TIP137 |
Модель | TIP 137 |
Характеристики
Транзистор STMicroelectronics BDX33C NPN корпус TO-220AB I(C) 10 A U(CEO) 100 В
Тип товара | BJT транзистор дискретный |
Код производителя | BDX33C |
Характеристики